通信高頻逆變器需要實(shí)現(xiàn)對(duì)關(guān)鍵負(fù)載長(zhǎng)期不間斷供電,這就對(duì)高頻逆變器的可靠性提出了極高的要求。而在實(shí)際應(yīng)用環(huán)境中,用戶有可能因操作失誤或者環(huán)境因素等造成逆變器輸出短路，或逆變器橋臂直通,這時(shí),逆變器的功率管會(huì)有大電流通過(guò)(本文主要針對(duì)IGBT講解,也可以類推應(yīng)用到MOSFET),假如不對(duì)此類故障電流進(jìn)行檢測(cè)并實(shí)施有效的保護(hù)動(dòng)作,IGBT的集電極或者漏極電流就會(huì)遠(yuǎn)超過(guò)安全工作區(qū),IGBT會(huì)因瞬間大電流導(dǎo)致高功率損耗燒毀,也可能有過(guò)電流引起的過(guò)電壓擊穿損壞。

輸出短路保護(hù):需要逆變器能重復(fù)多次承受短路沖擊電流,在維持200ms后能關(guān)閉逆變器,這就需要將短路時(shí)流過(guò)IGBT的電流控制在ICRM(重復(fù)峰值電流,一般ICRM=2 IC nom)內(nèi)。

橋臂直通保護(hù):例如VT2自身失效短路或者被外在電氣連接短路,在VT1開(kāi)通時(shí),母線被直接通過(guò)VT1短路,此直通電流上升得非?？?一般在10μs之內(nèi)即能上升到IGBT額定電流的數(shù)倍,發(fā)生橋臂直通后,需要快速檢測(cè)出此故障,并將IGBT驅(qū)動(dòng)封鎖并死鎖,直到系統(tǒng)指令復(fù)位才允許再次開(kāi)啟驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在總壽命周期內(nèi),一般IGBT承受此類直通電流不能超過(guò)100次。這類直通保護(hù)需要在10μs內(nèi),在IGBT的電流不超過(guò)ISC(瞬態(tài)峰值電流,一般ISC=4 IC nom)以前關(guān)閉驅(qū)動(dòng),并同時(shí)關(guān)閉逆變器。

1 輸出短路保護(hù)

在標(biāo)示4處安裝HALL電流傳感器來(lái)檢測(cè)Lf電感電流,當(dāng)發(fā)生輸出短路時(shí),假如VT1開(kāi)通,電壓UC1通過(guò)VT1和電感Lf短路,電感電流迅速上升,檢測(cè)此電流到一定范圍時(shí)(大于正常工作電流,小于重復(fù)峰值電流ICRM),將VT1和VT2驅(qū)動(dòng)封鎖,此時(shí)電感電流ILf開(kāi)始下降,當(dāng)電流下降到一定程度,撤銷驅(qū)動(dòng)封鎖信號(hào)。假如此過(guò)程中輸出一直短路,待下一個(gè)驅(qū)動(dòng)到來(lái)時(shí),電感電流又開(kāi)始上升,到短路保護(hù)點(diǎn)時(shí),再一次封鎖IGBT的驅(qū)動(dòng),如此反復(fù)200ms后,軟件邏輯可判斷此時(shí)發(fā)生了輸出短路,將逆變器關(guān)閉。

2 橋臂直通的過(guò)流保護(hù)

首先,為避免由于上管VT1和下管VT2因驅(qū)動(dòng)信號(hào)同時(shí)為高電平而造成的直通故障,一方面需要在驅(qū)動(dòng)軟件中考慮加入死區(qū),另一方面也需要在硬件電路上對(duì)上下管的驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行硬件互鎖,當(dāng)上下管驅(qū)動(dòng)電平同時(shí)為有效電平時(shí),自動(dòng)封鎖驅(qū)動(dòng)電壓。

另外,IGBT也有可能因過(guò)壓導(dǎo)致瞬間擊穿直通,或者自身雪崩失效短路、由于外部原因引起的電氣連接造成的短路,此時(shí)標(biāo)示2、3、4處都會(huì)有大電流通過(guò),目前的各種保護(hù)措施都無(wú)法徹底避免變換器發(fā)生橋臂直通的可能性,那么怎樣實(shí)現(xiàn)在發(fā)生橋臂直通時(shí)及時(shí)檢測(cè)出直通故障并保護(hù)IGBT,以避免IGBT燒毀,就顯得尤為重要。